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第397章 从四川资阳走出来的工程院院士着名半导体技术专家罗毅（第3页）

总之，罗毅在清华的工程底蕴、东京的前沿探索与日本产业实践的叠加，使他兼具基础研究的深度（发表300余篇SCI论文）与产业转化的力度（授权专利34项）。

这种“学术-技术-产业”

的贯通式成长，使他在光电子芯片领域实现从跟跑到并跑的跨越。

这印证了顶尖科学家的成就，往往源于多元教育资源的系统性赋能与时代需求的精准响应。

院士从业之路

1990年4月—1992年3月，罗毅在日本光计测技术开发株式会社中央研究所，担任研究员。

1992年4月—1992年12月，罗毅担任清华大学电子工程系讲师。

1992年12月起，罗毅担任清华大学电子工程系教授。

1995年，罗毅获得国家杰出青年科学基金资助。

1997年—2012年，罗毅担任集成光电子学国家重点联合实验室主任。

2021年，罗毅当选为中国工程院院士。

从业之路解码

罗毅院士的从业之路，对他后来成为院士产生了重要的影响。

罗毅参与光通信模块封装项目，接触到日本企业“精益生产”

体系。

从MBE设备的真空度控制（提升至10??Pa）到量子阱材料缺陷密度优化（降低至10?cm?2），他亲身见证“实验室技术”

到“量产产品”

的1000米跨越。

罗毅发现国外对关键工艺参数的严格保密（如外延层生长速率误差＜1%），深刻体会到“技术主权”

的重要性，为回国后坚持自主工艺路线埋下伏笔。

罗毅回国后主导改造国产MBE设备，引入日本企业的真空优化方案（加装钛升华泵）。

这使自主制备的InGaAsP材料性能接近国际水平，相关成果成为其申请国家杰出青年科学基金的核心支撑。

罗毅将日本“产官学”

合作模式本土化，促成清华与深圳某企业合作开发LED外延片。

他通过优化图形化衬底技术，使蓝光LED发光效率提升15%，初步建立产学研协同方法论。

罗毅从讲师到教授的身份转变，伴随“光电子集成器件实验室”

的筹建。

初期他带领5人团队，聚焦DFB激光器核心技术，通过“老带新”

模式培养出首批科研骨干（如later成为长江学者的团队成员）。

罗毅放弃当时热门的微电子专业，坚定选择光电子领域，提出“光通信芯片国产化”

目标。

罗毅获国家杰出青年科学基金后，将研究重点从单一器件转向“材料-器件-模块”

集成体系，构建起完整的技术链条。

罗毅推动实验室与中科院半导体所、吉林大学的跨区域合作，建立“材料生长-器件制备-系统测试”

的全流程平台，设备国产化率从30%提升至60%。

罗毅主导制定《半导体光电子器件可靠性测试方法》等5项国家标准，打破国外在测试认证领域的垄断。

罗毅建立“青年教师-博士后-博士生”

的梯度培养体系，培养出10余位国家级人才，形成光电子领域的“清华学派”