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第397章 从四川资阳走出来的工程院院士着名半导体技术专家罗毅（第2页）

1977年高考恢复后，资阳中学的重点中学定位，成为其跨越城乡差距的关键跳板。

这种从工厂子弟到顶尖学府的跃迁经历，塑造了“爬坡过坎”

的坚韧特质——正如他在半导体光电子器件研究中，带领团队攻克“薄型化”

“超宽带”

等“卡脖子”

技术，将基层突围的韧性转化为科研攻坚的耐力。

资阳对罗毅的影响，本质是历史积淀、地缘机遇与时代浪潮在个体生命中的共振。

古蜀文明的开放包容、成渝枢纽的教育资源、院士群体的榜样力量、城乡跃迁的成长历程，共同构成其科学精神的“文化场域”

。

这种影响并非显性因果，却如安岳石刻的雕刻线条般，在时光中悄然塑造着其科研方向的选择（聚焦国家战略需求）与人才培养理念（推动产学研融合），最终将地域文化基因升华为“以科技报国”

的时代担当。

院士求学之路

1983年，罗毅获得清华大学学士学位。

1987年，罗毅获得日本东京大学硕士学位。

1990年，领域获得日本东京大学博士学位。

求学之路解码

罗毅院士的求学之路以清华与东京大学为双支点，构建起“基础理论—前沿技术—产业实践”

的立体成长框架。

罗毅在清华电子工程系接受系统训练，使他掌握了从器件设计到工艺实现的全链条能力，形成“问题导向—系统优化”

的思维范式。

本科阶段，他参与半导体实验室项目，培养自己对技术细节的极致把控力（如工艺参数调试能力），为后续解决光电子器件产业化难题奠定方法论基础。

同期，国内半导体技术与国际的差距，使他确立了“芯片报国”

的科研使命。

这一信念成为他回国组建团队、突破“卡脖子”

技术的核心驱动力。

罗毅在东京大学的七年深造，实现三重突破。

他聚焦半导体光电子学，硕士研究量子阱结构设计，博士主攻超高速光电子器件，精准对接光纤通信产业需求。

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他师从行业权威，参与NTT联合实验室项目，掌握MBE等顶尖技术，建立纳米级材料制备能力。

博士阶段，他对量子阱能带结构的原子级精确计算，形成“从微观机制解决宏观性能”

的研究路径。

他坚持自主技术路线，如回国后力主发展增益耦合技术，突破国外主导的折射率耦合路径局限。

他吸收日本“精益生产”

理念，将实验数据精度要求提升至小数点后四位，并促成清华与住友电工等企业的技术合作，引入先进封装工艺。

罗毅在日本企业工作经历，使他深刻理解“实验室成果—工程化—产业化”

的鸿沟。

回国后，他主导改造国产MBE设备，通过提升真空度（至5×10??Pa）将材料缺陷密度降低两个数量级。

在技术路线选择上，他摒弃盲从，基于东京大学研究积累，他成功研发高成品率DFB激光器（单模率从10%提升至50%），相关成果获国家技术发明奖。